智原發(fā)表28納米M1+單元庫 大幅改善SoC數(shù)字電路布線結果

智原發(fā)表28納米M1+單元庫 大幅改善SoC數(shù)字電路布線結果

ASIC設計服務暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation)今日推出基于聯(lián)電28HPC工藝所開發(fā)的M1+標準單元庫解決方案。隨著先進工藝的演進,單元庫的可布線性(Routability)備受后端布局布線工程師所重視。因應客戶設計的多元需求,智原完整的M1+單元庫支持多種單元高度(7T/9T/12T)、多種Vt單元(LVT/RVT/HVT),及智原特有的PowerSlash?低功耗控制單元庫,可大幅優(yōu)化數(shù)字電路設計,協(xié)助客戶打造最佳SoC芯片PPA(性能、功耗、面積)。

藉由豐富的ASIC設計與基礎單元庫開發(fā)經驗,研華智原M1+單元庫透過優(yōu)化內部繞線,增加客戶布局時所需求的繞線資源,以達到優(yōu)化的設計結果,而減小芯片面積、縮短繞線時間。M1+組件庫與其他類似組件庫做比較,可針對數(shù)字電路設計(如ARM核心、和高階視訊編譯碼器等),在不影響性能的清況下,能有效降低43%漏電功耗及縮小14%芯片面積,充份滿足客戶在低功耗、高密度及高速運算應用的需求。

智原科技營運長林世欽表示:“大多數(shù)的單元庫供貨商專注于縮小單元尺寸,以在每平方公厘可置放最多的單元數(shù)量為目標,然而卻可能導致繞線無法收斂或最終芯片面積變大。智原非常了解單元庫的可布線性,在日益復雜的SoC設計中扮演重要角色,我們亦將持續(xù)投資開發(fā)單元庫與設計方法,提供客戶最具成本競爭力的解決方案?!?/p>

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